NCP5104DR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
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| 2500+ | 36.56 грн |
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Технічний опис NCP5104DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 85ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NCP5104DR2G за ціною від 33.82 грн до 132.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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NCP5104DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5104DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers NCP5104 |
на замовлення 42738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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NCP5104DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 85ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5104DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Impulse rise time: 160ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -500...250mA Pulse fall time: 75ns |
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