Інші пропозиції NCP5106ADR2G за ціною від 39.11 грн до 85.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP5106ADR2G | onsemi |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICDigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Driven Configuration: Half-Bridge |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NCP5106ADR2G | ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCP5106ADR2G | ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCP5106ADR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NCP5106ADR2G | onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
NCP5106ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP5106ADR2G |
|
на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Driven Configuration: Half-Bridge
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Driven Configuration: Half-Bridge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.45 грн |
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 419+ | 84.71 грн |
| 500+ | 76.24 грн |
| 1000+ | 70.31 грн |
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 419+ | 84.71 грн |
| 500+ | 76.24 грн |
| 1000+ | 70.31 грн |
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.43 грн |
| 10+ | 59.90 грн |
| 25+ | 54.24 грн |
| 100+ | 45.00 грн |
| 250+ | 42.20 грн |
| 500+ | 40.51 грн |
| 1000+ | 39.11 грн |
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCP5106ADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)