NCP5106BDR2G ON Semiconductor
Виробник: ON Semiconductor
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 189+ | 74.00 грн |
| 207+ | 67.31 грн |
| 235+ | 59.47 грн |
| 250+ | 54.20 грн |
| 500+ | 47.20 грн |
| 1000+ | 44.54 грн |
| 2500+ | 40.85 грн |
| 5000+ | 39.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5106BDR2G ON Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NCP5106BDR2G за ціною від 34.11 грн до 94.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NCP5106BDR2G | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2285 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
NCP5106BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5106BDR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 250 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
NCP5106BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -500...250mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 160ns Pulse fall time: 75ns Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |