NCP5106BDR2G ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorDriver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.09 грн |
| 5000+ | 40.82 грн |
| 7500+ | 39.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5106BDR2G ON Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NCP5106BDR2G за ціною від 37.41 грн до 146.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 34260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR |
на замовлення 3923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5106BDR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 250 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NCP5106BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |


