Продукція > ONSEMI > NCP5111DR2G
NCP5111DR2G

NCP5111DR2G onsemi

ncp5111-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCP5111DR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції NCP5111DR2G за ціною від 40.18 грн до 152.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCP5111DR2G NCP5111DR2G onsemi ncp5111-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.50 грн
10+91.73 грн
25+77.18 грн
100+56.99 грн
250+49.41 грн
500+44.75 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G NCP5111DR2G ONSEMI 2160868.pdf Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G NCP5111DR2G onsemi ncp5111-d.pdf Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G NCP5111DR2G ONSEMI 2160868.pdf Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G ncp5111-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G ncp5111-d.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.50 грн
10+91.73 грн
25+77.18 грн
100+56.99 грн
250+49.41 грн
500+44.75 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G 2160868.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G ncp5111-d.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G 2160868.pdf
NCP5111DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5111DR2G ncp5111-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.