NCP5111DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.70 грн |
| 250+ | 35.26 грн |
| 500+ | 33.80 грн |
| 1000+ | 32.61 грн |
| 2500+ | 31.35 грн |
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Технічний опис NCP5111DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCP5111DR2G за ціною від 31.35 грн до 153.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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NCP5111DR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5111DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5111DR2G | onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER |
на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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NCP5111DR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP5111DR2G |
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на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCP5111DR2G |
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Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.73 грн |
| NCP5111DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.09 грн |
| 14+ | 59.55 грн |
| 50+ | 53.93 грн |
| 100+ | 40.70 грн |
| 250+ | 35.26 грн |
| 500+ | 33.80 грн |
| 1000+ | 32.61 грн |
| 2500+ | 31.35 грн |
| NCP5111DR2G |
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Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.86 грн |
| 10+ | 82.71 грн |
| 100+ | 48.46 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 39.38 грн |
| 2500+ | 35.89 грн |
| 5000+ | 34.77 грн |
| NCP5111DR2G |
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Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.18 грн |
| 10+ | 92.14 грн |
| 25+ | 77.52 грн |
| 100+ | 57.24 грн |
| 250+ | 49.63 грн |
| 500+ | 44.95 грн |
| 1000+ | 40.36 грн |