Продукція > ONSEMI > NCP51152BADR2G
NCP51152BADR2G

NCP51152BADR2G onsemi


ncp51152-d.pdf Виробник: onsemi
Gate Drivers ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRIVER IN SOIC8-NB
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 210-219 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.81 грн
10+156.52 грн
100+103.00 грн
250+90.49 грн
500+87.55 грн
1000+69.67 грн
2500+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCP51152BADR2G onsemi

Description: ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Current - Peak Output: 4.5A, 9A, Technology: Capacitive Coupling, Current - Output High, Low: 4.5A, 9A, Voltage - Isolation: 3750Vrms, Approval Agency: CQC, UL, VDE, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns, Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs, Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns, Pulse Width Distortion (Max): 5ns, Number of Channels: 1, Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V.

Інші пропозиції NCP51152BADR2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCP51152BADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp51152-d.pdf Isolated Single Channel Gate Driver in SOIC8-NB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51152BADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp51152-d.pdf Isolated Single Channel Gate Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51152BADR2G NCP51152BADR2G Виробник : onsemi ncp51152-d.pdf Description: ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 4.5A, 9A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51152BADR2G NCP51152BADR2G Виробник : onsemi ncp51152-d.pdf Description: ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 4.5A, 9A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 8.3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.