NCP5181DR2G onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 2.2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 77.33 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5181DR2G onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 2.2A, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції NCP5181DR2G за ціною від 73.75 грн до 257.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A Case: SO8 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -2.2...1.4A Impulse rise time: 60ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Type of integrated circuit: driver Pulse fall time: 40ns Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Protection: undervoltage UVP  | 
        
                             на замовлення 1742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Driver 2.2A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R         | 
        
                             на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Driver 2.2A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R         | 
        
                             на замовлення 54948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A Case: SO8 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -2.2...1.4A Impulse rise time: 60ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Type of integrated circuit: driver Pulse fall time: 40ns Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 1742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : onsemi | 
            
                         Gate Drivers HV MOSFET DRIVER         | 
        
                             на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NCP5181DR2G | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.4A, 2.2A DigiKey Programmable: Not Verified  | 
        
                             на замовлення 7471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    


