
NCP5183DR2G ON Semiconductor

Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 87.71 грн |
10+ | 79.04 грн |
25+ | 75.45 грн |
100+ | 69.39 грн |
250+ | 61.54 грн |
500+ | 58.82 грн |
1000+ | 57.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5183DR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCP5183DR2G за ціною від 61.54 грн до 305.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 8098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 15450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 9...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Output current: -4.3...4.3A Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 9...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Output current: -4.3...4.3A Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns |
товару немає в наявності |