NCP5183DR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 103.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5183DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCP5183DR2G за ціною від 89.14 грн до 316.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 15450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NCP5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |


