NCP81075DR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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Технічний опис NCP81075DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 8.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 140°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCP81075DR2G за ціною від 71.70 грн до 145.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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NCP81075DR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICDigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Gate Type: MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81075DR2G | onsemi |
Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCP81075DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 8.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCP81075DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 8.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NCP81075DR2G | ONN |
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на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCP81075DR2G |
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Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.46 грн |
| 10+ | 103.25 грн |
| 25+ | 94.11 грн |
| 100+ | 78.89 грн |
| 250+ | 74.41 грн |
| 500+ | 71.70 грн |
| NCP81075DR2G |
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Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER
Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCP81075DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP81075DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP81075DR2G |
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Виробник: ONN
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