NCP81075DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 106.46 грн |
| 500+ | 95.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP81075DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 8.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 140°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCP81075DR2G за ціною від 69.93 грн до 202.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP81075DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP81075DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP81075DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 8.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP81075DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NCP81075DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NCP81075DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 8.5...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Output current: -4...4A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 7ns Number of channels: 2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NCP81075DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NCP81075DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 8.5...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Output current: -4...4A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 7ns Number of channels: 2 |
товару немає в наявності |