
NCP81080DR2G ONSEMI

Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...140°C
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 19ns
Type of integrated circuit: driver
Output current: -800...500mA
Supply voltage: 5.5...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 77.63 грн |
7+ | 64.34 грн |
16+ | 58.14 грн |
25+ | 57.36 грн |
43+ | 55.04 грн |
100+ | 52.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP81080DR2G ONSEMI
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ), Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V, Input Type: TTL, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V, Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NCP81080DR2G за ціною від 41.37 грн до 122.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NCP81080DR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Operating temperature: -40...140°C Pulse fall time: 17ns Impulse rise time: 19ns Type of integrated circuit: driver Output current: -800...500mA Supply voltage: 5.5...20V DC Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: MOSFET half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 765 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP81080DR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP81080DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NCP81080DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V Input Type: TTL Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NCP81080DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V Input Type: TTL Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |