NCP81080DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 5.5...20V DC
Output current: -800...500mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...140°C
Pulse fall time: 17ns
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Impulse rise time: 19ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.48 грн |
| 7+ | 68.36 грн |
| 25+ | 60.94 грн |
| 100+ | 56.00 грн |
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Технічний опис NCP81080DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8, Sinkstrom: 800, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, Leistungsschalter: MOSFET, Eingang: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 2, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 5.5, Quellstrom: 500, Spitzenausgangsstrom: 800, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 20, Eingabeverzögerung: 44, Ausgabeverzögerung: 30, Betriebstemperatur, max.: 140, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції NCP81080DR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
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NCP81080DR2G | onsemi |
Gate Drivers LOW-COST HIGH VLTG GATE DRIVER |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP81080DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 800 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 5.5 Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 800 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 44 Ausgabeverzögerung: 30 Betriebstemperatur, max.: 140 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCP81080DR2G |
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Виробник: onsemi
Gate Drivers LOW-COST HIGH VLTG GATE DRIVER
Gate Drivers LOW-COST HIGH VLTG GATE DRIVER
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCP81080DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)