Продукція > ONSEMI > NCP81080DR2G
NCP81080DR2G

NCP81080DR2G ONSEMI

ncp81080-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...140°C
Output current: -800...500mA
Impulse rise time: 19ns
Supply voltage: 5.5...20V DC
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
7+65.87 грн
25+58.73 грн
100+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCP81080DR2G ONSEMI

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ), Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V, Input Type: TTL, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V, Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції NCP81080DR2G за ціною від 42.36 грн до 125.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCP81080DR2G NCP81080DR2G Виробник : ONSEMI ncp81080-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...140°C
Output current: -800...500mA
Impulse rise time: 19ns
Supply voltage: 5.5...20V DC
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
5+82.08 грн
25+70.47 грн
100+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G NCP81080DR2G Виробник : onsemi NCP81080_D-2317535.pdf Gate Drivers LOW-COST HIGH VLTG GATE DRIVER
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.33 грн
10+111.27 грн
100+70.17 грн
500+59.27 грн
1000+46.09 грн
2500+43.81 грн
5000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G NCP81080DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp81080-d.pdf Gate Power Driver IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G NCP81080DR2G Виробник : onsemi ncp81080-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Input Type: TTL
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G NCP81080DR2G Виробник : onsemi ncp81080-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Input Type: TTL
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 19ns, 17ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 800mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.