Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G

mc1413-d.pdf
Код товару: 176359
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NCV1413BDR2G за ціною від 15.70 грн до 50.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.09 грн
5000+17.89 грн
7500+17.65 грн
12500+16.31 грн
17500+16.16 грн
25000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G ONSEMI mc1413-d.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.96 грн
500+23.06 грн
1000+20.46 грн
5000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
11+28.65 грн
25+25.73 грн
100+21.08 грн
250+19.62 грн
500+18.74 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G ONSEMI MC1413BDG.PDF Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry; for inductive load
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Input voltage: 30V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
17+25.62 грн
25+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G onsemi mc1413-d.pdf Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.20 грн
12+27.88 грн
100+19.70 грн
500+18.80 грн
1000+18.05 грн
2500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G ONSEMI mc1413-d.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.06 грн
26+32.06 грн
100+25.96 грн
500+23.06 грн
1000+20.46 грн
5000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G ON mc1413-d.pdf 09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.09 грн
5000+17.89 грн
7500+17.65 грн
12500+16.31 грн
17500+16.16 грн
25000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.96 грн
500+23.06 грн
1000+20.46 грн
5000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.85 грн
11+28.65 грн
25+25.73 грн
100+21.08 грн
250+19.62 грн
500+18.74 грн
1000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G MC1413BDG.PDF
NCV1413BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry; for inductive load
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Input voltage: 30V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+42.86 грн
17+25.62 грн
25+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.20 грн
12+27.88 грн
100+19.70 грн
500+18.80 грн
1000+18.05 грн
2500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.06 грн
26+32.06 грн
100+25.96 грн
500+23.06 грн
1000+20.46 грн
5000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
Виробник: ON
09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.