на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81 грн |
| 10+ | 77.54 грн |
| 100+ | 60.02 грн |
| 250+ | 54.81 грн |
| 500+ | 53.28 грн |
| 1000+ | 42.26 грн |
| 2500+ | 41.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV33152DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5, Treiberkonfiguration: Low-Side, Leistungsschalter: MOSFET, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 6.1, Quellstrom: 1.5, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 18, Eingabeverzögerung: 50, Ausgabeverzögerung: 40, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NCV33152DR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NCV33152DR2G | Виробник : ON |
 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NCV33152DR2G | Виробник : ON |
08+ SOP |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 623 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NCV33152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC euEccn: NLR hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|
|
|
NCV33152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5 Treiberkonfiguration: Low-Side Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 6.1 Quellstrom: 1.5 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Eingabeverzögerung: 50 Ausgabeverzögerung: 40 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|
 |
NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
|
|
NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
|
|
NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
|
|
NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
NCV33152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
NCV33152DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A Part Status: Active |
товар відсутній |
|
|
|
NCV33152DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A Part Status: Active |
товар відсутній |