NCV51561BBDWR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
Qualification: AEC-Q100
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.6A, 7A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Технічний опис NCV51561BBDWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: -, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, Bauform - Treiber: WSOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 36ns, Ausgabeverzögerung: 36ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCV51561BBDWR2G за ціною від 134.64 грн до 390.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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NCV51561BBDWR2G | onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOICQualification: AEC-Q100 Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Grade: Automotive Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Technology: Magnetic Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV51561BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 36ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCV51561BBDWR2G | onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers NCV51561BBDWR2G |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCV51561BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V Bauform - Treiber: WSOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 36ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCV51561BBDWR2G |
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Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
Qualification: AEC-Q100
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.6A, 7A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
Qualification: AEC-Q100
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
Number of Channels: 2
Grade: Automotive
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns
Supplier Device Package: 16-SOIC
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.6A, 7A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 390.46 грн |
| 10+ | 246.00 грн |
| 25+ | 212.17 грн |
| 100+ | 163.15 грн |
| 250+ | 145.50 грн |
| 500+ | 134.64 грн |
| NCV51561BBDWR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 36ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 36ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV51561BBDWR2G |
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Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers NCV51561BBDWR2G
Galvanically Isolated Gate Drivers NCV51561BBDWR2G
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCV51561BBDWR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 36ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 36ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 902 шт:
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