NCV51561BBDWR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 4.5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2.6A, 7A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 149.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV51561BBDWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 36ns, Ausgabeverzögerung: 36ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NCV51561BBDWR2G за ціною від 140.18 грн до 417.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCV51561BBDWR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 36ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCV51561BBDWR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers NCV51561BBDWR2G |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCV51561BBDWR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4.5A, 9A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: CQC, UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Grade: Automotive Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCV51561BBDWR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 36ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCV51561BBDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
NCV51561BBDWR2G |
товару немає в наявності |