NCV5183DR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 112.30 грн |
| 250+ | 92.91 грн |
| 500+ | 89.07 грн |
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Технічний опис NCV5183DR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NCV5183DR2G за ціною від 72.02 грн до 292.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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NCV5183DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV5183DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
на замовлення 12447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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NCV5183DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCV5183DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
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на замовлення 1669 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
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NCV5183DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
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