Продукція > ONSEMI > NCV5183DR2G
NCV5183DR2G

NCV5183DR2G onsemi

NCP5183-D.PDF
Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER
на замовлення 12447 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.55 грн
10+125.46 грн
25+98.56 грн
100+86.52 грн
250+81.25 грн
500+77.49 грн
1000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV5183DR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції NCV5183DR2G за ціною від 78.35 грн до 269.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV5183DR2G NCV5183DR2G onsemi ncp5183-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.00 грн
10+165.66 грн
25+141.33 грн
100+106.74 грн
250+94.03 грн
500+86.20 грн
1000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G NCV5183DR2G ONSEMI ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G NCV5183DR2G ONSEMI ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G ncp5183-d.pdf
NCV5183DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.00 грн
10+165.66 грн
25+141.33 грн
100+106.74 грн
250+94.03 грн
500+86.20 грн
1000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV5183DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV5183DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.