Продукція > ONSEMI > NCV5183DR2G
NCV5183DR2G

NCV5183DR2G ONSEMI

ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.21 грн
250+85.39 грн
500+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV5183DR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NCV5183DR2G за ціною від 78.38 грн до 269.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCV5183DR2G NCV5183DR2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017900610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.42 грн
10+129.26 грн
50+120.20 грн
100+103.21 грн
250+85.39 грн
500+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G NCV5183DR2G Виробник : onsemi NCP5183_D-1812598.pdf Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER
на замовлення 13092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.36 грн
10+129.98 грн
100+97.61 грн
250+87.34 грн
500+83.67 грн
1000+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G NCV5183DR2G Виробник : onsemi ncp5183-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+165.74 грн
25+141.40 грн
100+106.79 грн
250+94.07 грн
500+86.25 грн
1000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5183-d.pdf
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5183DR2G NCV5183DR2G Виробник : onsemi ncp5183-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.