| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.46 грн |
| 10+ | 117.53 грн |
| 25+ | 92.33 грн |
| 100+ | 81.05 грн |
| 250+ | 76.12 грн |
| 500+ | 72.60 грн |
| 1000+ | 71.19 грн |
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Технічний опис NCV5183DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NCV5183DR2G за ціною від 66.11 грн до 268.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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NCV5183DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV5183DR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICVoltage - Supply: 9V ~ 18V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Gate Type: MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCV5183DR2G | ON Semiconductor |
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на замовлення 1669 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCV5183DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.93 грн |
| 10+ | 120.88 грн |
| 50+ | 108.54 грн |
| 100+ | 81.70 грн |
| 250+ | 70.48 грн |
| 500+ | 67.45 грн |
| 1000+ | 66.11 грн |
| NCV5183DR2G |
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Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.80 грн |
| 10+ | 165.54 грн |
| 25+ | 141.23 грн |
| 100+ | 106.66 грн |
| 250+ | 93.96 грн |
| 500+ | 86.14 грн |
| 1000+ | 78.29 грн |
| NCV5183DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





