| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.76 грн |
| 10+ | 154.81 грн |
| 25+ | 124.05 грн |
| 100+ | 106.43 грн |
| 250+ | 100.09 грн |
| 500+ | 87.40 грн |
| 1000+ | 85.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV5701BDR2G onsemi
Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR.
Інші пропозиції NCV5701BDR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NCV5701BDR2G | ON Semiconductor |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| NCV5701BDR2G | ON Semiconductor |
 Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCV5701BDR2G |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NCV5701BDR2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)