Продукція > ONSEMI > NCV5701CDR2G

NCV5701CDR2G onsemi


ncv5701-d.pdf
Виробник: onsemi
Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV5701CDR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCV5701CDR2G - IGBT Driver, High Side and Low Side, 6.8 A, 20 V, -40 °C to 125 °C, SOIC-8, Sinkstrom: 15, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, Leistungsschalter: IGBT, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 1, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: -, Quellstrom: 20, Spitzenausgangsstrom: 6.8, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 20, Eingabeverzögerung: 56, Ausgabeverzögerung: 63, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції NCV5701CDR2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV5701CDR2G ON Semiconductor ncv5701-d.pdf
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5701CDR2G ncv5701-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.