Продукція > ONSEMI > NCV57081BDR2G
NCV57081BDR2G

NCV57081BDR2G ONSEMI


3672845.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.45 грн
250+155.76 грн
500+155.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV57081BDR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: NCx57081y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 60ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NCV57081BDR2G за ціною від 157.84 грн до 474.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCV57081BDR2G NCV57081BDR2G Виробник : onsemi ncd57080-d.pdf Description: ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+206.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57081BDR2G NCV57081BDR2G Виробник : ONSEMI 3672845.pdf Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.53 грн
10+218.87 грн
25+213.22 грн
50+192.74 грн
100+172.37 грн
250+167.53 грн
500+162.68 грн
1000+157.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57081BDR2G NCV57081BDR2G Виробник : onsemi ncd57080-d.pdf Description: ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.76 грн
10+356.60 грн
25+337.09 грн
100+274.17 грн
250+260.11 грн
500+233.39 грн
1000+193.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57081BDR2G NCV57081BDR2G Виробник : onsemi ncd57080-d.pdf Gate Drivers Isolated High Current Gate Driver
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.09 грн
10+317.65 грн
25+240.22 грн
100+199.37 грн
250+177.91 грн
500+170.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.