Продукція > ONSEMI > NCV57091BDWR2G
NCV57091BDWR2G

NCV57091BDWR2G onsemi


ncd57090a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+120.49 грн
2000+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV57091BDWR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NCx57091y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 60ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NCV57091BDWR2G за ціною від 102.79 грн до 316.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCV57091BDWR2G NCV57091BDWR2G Виробник : ONSEMI ncd57090a-d.pdf Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.49 грн
250+109.21 грн
500+106.36 грн
1000+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57091BDWR2G NCV57091BDWR2G Виробник : onsemi ncd57090a-d.pdf Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.94 грн
10+215.43 грн
25+203.68 грн
100+157.16 грн
250+141.02 грн
500+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57091BDWR2G NCV57091BDWR2G Виробник : onsemi NCD57090A_D-2316714.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.61 грн
10+247.57 грн
25+203.40 грн
100+167.03 грн
250+149.95 грн
500+144.76 грн
1000+120.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57091BDWR2G NCV57091BDWR2G Виробник : ONSEMI 3621456.pdf Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.45 грн
10+205.69 грн
25+177.38 грн
50+149.24 грн
100+123.49 грн
250+109.21 грн
500+106.36 грн
1000+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.