NCV57100DWR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 7A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
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Технічний опис NCV57100DWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 7.1A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCV57100DWR2G за ціною від 99.94 грн до 194.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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NCV57100DWR2G | onsemi |
Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WBPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57100DWR2G | onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated Single-Channel High Current Gate Driver |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCV57100DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCV57100DWR2G |
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Виробник: onsemi
Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 7A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 7A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.07 грн |
| 10+ | 139.53 грн |
| 25+ | 127.73 грн |
| 100+ | 107.68 грн |
| 250+ | 101.87 грн |
| 500+ | 99.94 грн |
| NCV57100DWR2G |
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Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated Single-Channel High Current Gate Driver
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated Single-Channel High Current Gate Driver
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCV57100DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



