NCV57100DWR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 7A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Qualification: AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 104.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV57100DWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 7.1A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCV57100DWR2G за ціною від 101.57 грн до 309.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCV57100DWR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCV57100DWR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated Single-Channel High Current Gate Driver |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCV57100DWR2G | Виробник : onsemi |
Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max) |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCV57100DWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Isolated High Current IGBT Gate Driver Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |