Технічний опис NCV57200DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: -, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCV57200DR2G за ціною від 50.46 грн до 106.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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NCV57200DR2G | ON Semiconductor |
 Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57200DR2G | onsemi |
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC |
на замовлення 17105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57200DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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NCV57200DR2G | onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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NCV57200DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57200DR2G | ON Semiconductor |
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на замовлення 2362 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NCV57200DR2G |
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Виробник: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q100
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.79 грн |
| NCV57200DR2G |
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Виробник: onsemi
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR 8SOIC
на замовлення 17105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.99 грн |
| 10+ | 75.60 грн |
| 25+ | 68.67 грн |
| 100+ | 57.25 грн |
| 250+ | 53.82 грн |
| 500+ | 51.75 грн |
| 1000+ | 50.46 грн |
| NCV57200DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV57200DR2G |
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Виробник: onsemi
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCV57200DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57200DR2G - IGBT-Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV57200DR2G |
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Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)