NCV8402ADDR2G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 91.33 грн |
| 500+ | 82.19 грн |
| 1000+ | 75.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV8402ADDR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NCV8402ADDR2G за ціною від 33.29 грн до 99.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCV8402ADDR2G | onsemi |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Features: Auto Restart Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 2 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 165mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 42V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 2A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8402ADDR2G | ON Semiconductor |
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8402ADDR2G | onsemi |
MOSFETs 42V2A |
на замовлення 4234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOICtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOICtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV8402ADDR2G | ON-Semiconductor |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402addкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.28 грн |
| 10+ | 64.77 грн |
| 25+ | 58.62 грн |
| 100+ | 48.74 грн |
| 250+ | 45.74 грн |
| 500+ | 43.93 грн |
| 1000+ | 42.54 грн |
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 142+ | 99.64 грн |
| 250+ | 68.24 грн |
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 42V2A
MOSFETs 42V2A
на замовлення 4234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
кількість в упаковці: 10 шт
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 33.29 грн |






