Продукція > ONSEMI > NCV8402ADDR2G
NCV8402ADDR2G

NCV8402ADDR2G onsemi

ncv8402d-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.92 грн
10+63.55 грн
25+57.54 грн
100+47.83 грн
250+44.88 грн
500+43.11 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV8402ADDR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NCV8402ADDR2G за ціною від 33.36 грн до 99.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ON Semiconductor ncv8402dd.pdf Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+91.54 грн
500+82.37 грн
1000+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ON Semiconductor ncv8402dd.pdf Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.86 грн
250+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G onsemi ncv8402d-d.pdf MOSFETs 42V2A
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ONSEMI 2355013.pdf Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ONSEMI 2355013.pdf Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G ON-Semiconductor ncv8402d-d.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G ncv8402dd.pdf
NCV8402ADDR2G
Виробник: ON Semiconductor
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
387+91.54 грн
500+82.37 грн
1000+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G ncv8402dd.pdf
NCV8402ADDR2G
Виробник: ON Semiconductor
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+99.86 грн
250+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G ncv8402d-d.pdf
NCV8402ADDR2G
Виробник: onsemi
MOSFETs 42V2A
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G 2355013.pdf
NCV8402ADDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G 2355013.pdf
NCV8402ADDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8402ADDR2G ncv8402d-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.