NCV8440ASTT1G ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 35.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV8440ASTT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Output Type: N-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Number of Outputs: 1, Interface: On/Off, Switch Type: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Output Configuration: Low Side, Rds On (Typ): 95mOhm, Input Type: Non-Inverting, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V, Voltage - Load: 52V, Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required, Current - Output (Max): 2.6A, Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA, Ratio - Input:Output: 1:1, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Fault Protection: Over Voltage, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції NCV8440ASTT1G за ціною від 28.95 грн до 111.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 95mOhm Input Type: Non-Inverting Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V Voltage - Load: 52V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 2.6A Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Fault Protection: Over Voltage Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 52V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.69W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 2.6A, 52V N-CH, CLAM |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 95mOhm Input Type: Non-Inverting Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V Voltage - Load: 52V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 2.6A Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Fault Protection: Over Voltage Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.095 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 52V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.69W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |




