Продукція > ONSEMI > NCV8440ASTT1G
NCV8440ASTT1G

NCV8440ASTT1G onsemi

ncv8440-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Non-Inverting
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V
Voltage - Load: 52V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.6A
Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Fault Protection: Over Voltage
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+34.69 грн
2000+30.75 грн
3000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCV8440ASTT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Output Type: N-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Number of Outputs: 1, Interface: On/Off, Switch Type: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Output Configuration: Low Side, Rds On (Typ): 95mOhm, Input Type: Non-Inverting, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V, Voltage - Load: 52V, Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required, Current - Output (Max): 2.6A, Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA, Ratio - Input:Output: 1:1, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Fault Protection: Over Voltage, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції NCV8440ASTT1G за ціною від 34.31 грн до 112.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G onsemi ncv8440-d.pdf Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Non-Inverting
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V
Voltage - Load: 52V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.6A
Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Fault Protection: Over Voltage
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.21 грн
100+46.36 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G onsemi ncv8440-d.pdf MOSFETs 2.6A, 52V N-CH, CLAM
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G ONSEMI ncv8440-d.pdf Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 52V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G ONSEMI ncv8440-d.pdf Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 52V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G ncv8440-d.pdf
NCV8440ASTT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 95mOhm
Input Type: Non-Inverting
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V
Voltage - Load: 52V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.6A
Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Fault Protection: Over Voltage
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+69.21 грн
100+46.36 грн
500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G ncv8440-d.pdf
NCV8440ASTT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 2.6A, 52V N-CH, CLAM
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G ncv8440-d.pdf
NCV8440ASTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 52V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8440ASTT1G ncv8440-d.pdf
NCV8440ASTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 52V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.