ND104N12KHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 104A PB20-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 104A
Supplier Device Package: BG-PB20-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 135°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ND104N12KHPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 104A PB20-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 104A, Supplier Device Package: BG-PB20-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 135°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 1200 V.
Інші пропозиції ND104N12KHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ND104N12KHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK |
товару немає в наявності |