Продукція > ONSEMI > NDB5060L
NDB5060L

NDB5060L onsemi

ndb5060l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.13 грн
1600+79.94 грн
2400+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDB5060L onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NDB5060L за ціною від 80.74 грн до 225.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDB5060L NDB5060L Виробник : onsemi ndb5060l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.27 грн
10+148.17 грн
100+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : onsemi / Fairchild ndb5060l-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.38 грн
10+167.48 грн
100+100.36 грн
500+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : Fairchild ndb5060l-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : FSC ndb5060l-d.pdf TO-263 06+
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : NS ndb5060l-d.pdf SOT263
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : ON Semiconductor ndb5060ljp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Case: D2PAK-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 78A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Case: D2PAK-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.