NDB5060L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 101.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDB5060L onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NDB5060L за ціною від 76.11 грн до 197.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDB5060L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDB5060L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDB5060L | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NDB5060L | Виробник : FSC |
TO-263 06+ |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NDB5060L | Виробник : NS |
SOT263 |
на замовлення 465 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NDB5060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NDB5060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NDB5060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |