Продукція > ONSEMI > NDB5060L
NDB5060L

NDB5060L onsemi

ndb5060l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.51 грн
10+161.03 грн
100+112.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDB5060L onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NDB5060L за ціною від 78.97 грн до 258.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDB5060L NDB5060L Виробник : onsemi ndb5060l-d.pdf MOSFETs N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.45 грн
10+152.69 грн
100+97.84 грн
500+78.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : FSC ndb5060l-d.pdf TO-263 06+
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L Виробник : onsemi ndb5060l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L Виробник : ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.