Продукція > ONSEMI > NDC7002N
NDC7002N

NDC7002N onsemi

ndc7002n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.88 грн
6000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDC7002N onsemi

Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NDC7002N за ціною від 8.56 грн до 53.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NDC7002N NDC7002N ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 59453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.34 грн
500+15.11 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N ONSEMI NDC7002N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51A
Gate charge: 1nC
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
13+33.57 грн
15+29.50 грн
50+20.77 грн
100+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N onsemi / Fairchild NDC7002N-D.PDF MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE
на замовлення 60070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
11+28.90 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+10.84 грн
3000+9.25 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N onsemi ndc7002n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 25814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
11+29.84 грн
100+19.18 грн
500+13.68 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 59453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.72 грн
50+33.10 грн
100+21.34 грн
500+15.11 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N 2304197.pdf
NDC7002N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 59453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.34 грн
500+15.11 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N.pdf
NDC7002N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51A
Gate charge: 1nC
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+42.95 грн
13+33.57 грн
15+29.50 грн
50+20.77 грн
100+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N NDC7002N-D.PDF
NDC7002N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE
на замовлення 60070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.12 грн
11+28.90 грн
100+16.15 грн
500+12.29 грн
1000+10.84 грн
3000+9.25 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N ndc7002n-d.pdf
NDC7002N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 25814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.48 грн
11+29.84 грн
100+19.18 грн
500+13.68 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7002N 2304197.pdf
NDC7002N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 59453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+53.72 грн
50+33.10 грн
100+21.34 грн
500+15.11 грн
1500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.