Технічний опис NDC7002N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDC7002N за ціною від 8.13 грн до 62.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDC7002N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDC7002N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 58838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDC7002N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE |
на замовлення 60070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 25814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 58838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7002N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |