Продукція > ONSEMI > NDC7003P
NDC7003P

NDC7003P onsemi

ndc7003p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDC7003P onsemi

Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDC7003P за ціною від 5.50 грн до 37.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDC7003P NDC7003P Виробник : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.65 грн
500+9.39 грн
1000+8.59 грн
5000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE739DB2174745&compId=NDC7003P.pdf?ci_sign=5c421510fe44da4ad1d95dee73eb77a06ed2bf63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.13 грн
21+19.49 грн
50+15.51 грн
100+13.28 грн
121+7.80 грн
331+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE739DB2174745&compId=NDC7003P.pdf?ci_sign=5c421510fe44da4ad1d95dee73eb77a06ed2bf63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
13+24.29 грн
50+18.61 грн
100+15.94 грн
121+9.36 грн
331+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : onsemi / Fairchild ndc7003p-d.pdf MOSFETs Dual P-Ch FET Enhancement Mode
на замовлення 22587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.07 грн
16+23.01 грн
100+13.52 грн
500+10.00 грн
1000+7.94 грн
3000+6.80 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : onsemi ndc7003p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.52 грн
16+21.16 грн
100+13.42 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.18 грн
38+22.79 грн
100+14.65 грн
500+9.39 грн
1000+8.59 грн
5000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P Виробник : Fairchild ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R NDC7003P TNDC7003p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P Виробник : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.