Продукція > ONSEMI > NDD03N40Z-1G
NDD03N40Z-1G

NDD03N40Z-1G onsemi

NDD03N40Z%2C%20NDT03N40Z.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1110+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD03N40Z-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NDD03N40Z-1G за ціною від 22.12 грн до 22.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD03N40Z-1G NDD03N40Z-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD03N40Z-1G - NDD03N40Z-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1350+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1350
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1G NDD03N40Z-1G Виробник : ON Semiconductor ndd03n40z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1G NDD03N40Z-1G Виробник : onsemi NDD03N40Z%2C%20NDT03N40Z.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N40Z-1G Виробник : ON Semiconductor NDD03N40Z%2C%20NDT03N40Z.pdf MOSFET NFET DPAK 400V 2.4A 3.4OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.