Продукція > ONSEMI > NDD03N50ZT4G
NDD03N50ZT4G

NDD03N50ZT4G onsemi


ndd03n50z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
на замовлення 20236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1025+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD03N50ZT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDD03N50ZT4G за ціною від 24.02 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD03N50ZT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD03N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,2.6A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50ZT4G NDD03N50ZT4G Виробник : onsemi ndd03n50z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N50ZT4G NDD03N50ZT4G Виробник : onsemi ndd03n50z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.