Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G

NDD03N60Z-1G ON Semiconductor

ndf03n60z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD03N60Z-1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDD03N60Z-1G за ціною від 16.59 грн до 18.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD03N60Z-1G NDD03N60Z-1G Виробник : ON Semiconductor ndf03n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1G NDD03N60Z-1G Виробник : onsemi ndf03n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1214+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669785-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD03N60Z-1G - NDD03N60Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1G Виробник : ON Semiconductor ndf03n60z-d.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1G NDD03N60Z-1G Виробник : ON Semiconductor 1022ndf03n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD03N60Z-1G NDD03N60Z-1G Виробник : onsemi ndf03n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.