Продукція > ONSEMI > NDD03N80Z-1G
NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G onsemi

NDD03N80Z.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 141954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 701
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD03N80Z-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDD03N80Z-1G за ціною від 36.77 грн до 36.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDD03N80Z-1G NDD03N80Z-1G Виробник : ON Semiconductor NDD03N80Z-D-223312.pdf MOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 4.5OH
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD03N80Z-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD03N80Z-1G - NDD03N80Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
900+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 900
NDD03N80Z-1G NDD03N80Z-1G Виробник : onsemi NDD03N80Z.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній