Продукція > ONSEMI > NDD04N50ZT4G
NDD04N50ZT4G

NDD04N50ZT4G onsemi

NDD04N50Z.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
на замовлення 155796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
761+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 761
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD04N50ZT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDD04N50ZT4G за ціною від 29.28 грн до 29.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDD04N50ZT4G NDD04N50ZT4G Виробник : ON Semiconductor NDD04N50Z-D-90006.pdf MOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD04N50ZT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD04N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,3A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD04N50ZT4G NDD04N50ZT4G Виробник : onsemi NDD04N50Z.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N50ZT4G NDD04N50ZT4G Виробник : onsemi NDD04N50Z.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товар відсутній