Продукція > ONSEMI > NDD60N550U1-1G
NDD60N550U1-1G

NDD60N550U1-1G onsemi

NDD60N550U1.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD60N550U1-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NDD60N550U1-1G за ціною від 72.56 грн до 72.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD60N550U1-1G NDD60N550U1-1G Виробник : ON Semiconductor NDD60N550U1-D-463837.pdf MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD60N550U1-1G - NDD60N550U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1G NDD60N550U1-1G Виробник : ON Semiconductor ndd60n550u1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1G NDD60N550U1-1G Виробник : onsemi NDD60N550U1.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.