Продукція > ONSEMI > NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G

NDD60N900U1T4G onsemi

NDD60N900U1.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDD60N900U1T4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NDD60N900U1T4G за ціною від 53.92 грн до 53.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD60N900U1T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDD60N900U1T4G - NDD60N900U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1922+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 1922
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4G NDD60N900U1T4G Виробник : ON Semiconductor ndd60n900u1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4G NDD60N900U1T4G Виробник : onsemi NDD60N900U1.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4G NDD60N900U1T4G Виробник : ON Semiconductor NDD60N900U1-D-1773716.pdf MOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.