NDDL01N60Z-1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NDDL01N60Z-1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2025+ | 12.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDDL01N60Z-1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NDDL01N60Z-1G за ціною від 16.15 грн до 16.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDDL01N60Z-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NDDL01N60Z-1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.50H |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
NDDL01N60Z-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
NDDL01N60Z-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |