Продукція > ONSEMI > NDDP010N25AZT4H

NDDP010N25AZT4H onsemi

Name: NDDP010N25AZT4H
Brand: onsemi
SKU: 70047506-3
Price: 2861.3999999999996 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
60+	47.69 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NDDP010N25AZT4H onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK/TP-FA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NDDP010N25AZT4H

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NDDP010N25AZT4H	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)	на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NDDP010N25AZT4H	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NDDP010N25AZT4H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NDDP010N25AZT4H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.