Продукція > ONSEMI > NDDP010N25AZT4H
NDDP010N25AZT4H

NDDP010N25AZT4H onsemi


nddp010n25az-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDDP010N25AZT4H onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK/TP-FA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NDDP010N25AZT4H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDDP010N25AZT4H NDDP010N25AZT4H Виробник : ON Semiconductor NDDP010N25AZ-D-601149.pdf MOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4H Виробник : ON Semiconductor nddp010n25az-d.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4H NDDP010N25AZT4H Виробник : onsemi nddp010n25az-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4H NDDP010N25AZT4H Виробник : onsemi nddp010n25az-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.