Інші пропозиції NDF08N50ZG за ціною від 41.61 грн до 50.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDF08N50ZG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDF08N50ZG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.69 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 503161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
NDF08N50ZG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V |
на замовлення 503161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
NDF08N50ZG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
NDF08N50ZG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
NDF08N50ZG | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET T0220FP 600V 7.5A 85 |
товару немає в наявності |




