Продукція > ONSEMI > NDF08N50ZH
NDF08N50ZH

NDF08N50ZH onsemi


ndf08n50z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 258340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 592
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDF08N50ZH onsemi

Description: ONSEMI - NDF08N50ZH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.69 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NDF08N50ZH за ціною від 37.67 грн до 37.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDF08N50ZH NDF08N50ZH Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000711549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDF08N50ZH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.5 A, 0.69 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 258340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 750
NDF08N50ZH Виробник : ON Semiconductor ndf08n50z-d.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDF08N50ZH NDF08N50ZH Виробник : onsemi ndf08n50z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
товар відсутній
NDF08N50ZH NDF08N50ZH Виробник : onsemi NDF08N50Z_D-2318212.pdf MOSFET NFET 500V 7.5A
товар відсутній