Продукція > ONSEMI > NDF08N50ZH

NDF08N50ZH onsemi


ndf08n50z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 258340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
404+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDF08N50ZH onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDF08N50ZH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NDF08N50ZH ON Semiconductor ndf08n50z-d.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N50ZH ndf08n50z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.