NDH8302P Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2A SUPERSOT 8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-8
Part Status: Active
на замовлення 65317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 683+ | 28.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDH8302P Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2A SUPERSOT 8, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-8, Part Status: Active.
Інші пропозиції NDH8302P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDH8302P | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDH8302P | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDH8302P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET DISC BY MFG 2/02 |
товар відсутній |