
NDH832P Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 73243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
662+ | 31.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDH832P Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NDH832P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NDH832P | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NDH832P | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NDH832P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |