NDP6020P ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 187.63 грн |
| 10+ | 156.64 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDP6020P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NDP6020P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NDP6020P | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NDP6020P | onsemi |
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NDP6020P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NDP6020P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| NDP6020P |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NDP6020P |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NDP6020P |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NDP6020P |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET P-CH 20V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.