Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > NDP603AL
NDP603AL

NDP603AL Fairchild Semiconductor

FAIRS06639-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 34234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
952+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDP603AL Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NDP603AL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDP603AL Виробник : NSC NDP603AL.pdf FAIRS06639-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP603AL NDP603AL Виробник : onsemi NDP603AL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDP603AL NDP603AL Виробник : onsemi / Fairchild NDP603AL.pdf FAIRS06639-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-Channel FET LL Enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.