NDP6060 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 74.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDP6060 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції NDP6060 за ціною від 88.53 грн до 261.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDP6060 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NDP6060 | onsemi |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
NDP6060 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.01 грн |
| 50+ | 127.27 грн |
| 100+ | 115.31 грн |
| 500+ | 88.53 грн |
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)