NDP6060 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 73.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDP6060 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDP6060 за ціною від 88.16 грн до 319.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDP6060 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDP6060 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDP6060 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NDP6060 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
NDP6060 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
NDP6060 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| NDP6060 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 43200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDP6060 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25µΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 144A |
товару немає в наявності |