Технічний опис NDP6060 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції NDP6060 за ціною від 82.66 грн до 275.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDP6060 | onsemi / Fairchild |
 MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NDP6060 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NDP6060 | onsemi |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NDP6060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060 | Fairchild |
|
на замовлення 43200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.46 грн |
| 10+ | 118.82 грн |
| 100+ | 97.81 грн |
| 500+ | 87.48 грн |
| 1000+ | 82.66 грн |
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.04 грн |
| 50+ | 125.83 грн |
| 100+ | 114.00 грн |
| 500+ | 87.52 грн |
| NDP6060 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.64 грн |
| 10+ | 138.62 грн |
| 100+ | 108.83 грн |
| 500+ | 91.61 грн |
| NDP6060 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 275.64 грн |
| 10+ | 163.94 грн |
| 100+ | 126.97 грн |
| 500+ | 100.74 грн |
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDP6060 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)