Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDP6060L
NDP6060L

NDP6060L ON Semiconductor

ndp6060l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+162.29 грн
500+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDP6060L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції NDP6060L за ціною від 89.82 грн до 288.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDP6060L NDP6060L ON Semiconductor ndp6060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+162.60 грн
100+157.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ON Semiconductor ndp6060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+219.25 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ON Semiconductor ndp6060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+227.86 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ON Semiconductor ndp6060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.46 грн
250+212.06 грн
500+187.83 грн
1000+164.56 грн
2500+140.46 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ONSEMI NDB6060L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 60nC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.43 грн
10+144.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L onsemi ndp6060l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.58 грн
50+142.01 грн
100+128.87 грн
500+99.34 грн
1000+92.41 грн
2000+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ONSEMI ONSM-S-A0013303158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L onsemi ndp6060l-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L onsemi / Fairchild 0D799E23DDEC6E6BC9DA8DE2FD7F0AA3BBBF124BC868B0338C4B0039027AD8EE.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDP6060L ON Semiconductor ndp6060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+162.60 грн
100+157.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+219.25 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+227.86 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.46 грн
250+212.06 грн
500+187.83 грн
1000+164.56 грн
2500+140.46 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L NDB6060L.pdf
NDP6060L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 60nC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.43 грн
10+144.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.58 грн
50+142.01 грн
100+128.87 грн
500+99.34 грн
1000+92.41 грн
2000+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ONSM-S-A0013303158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDP6060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L 0D799E23DDEC6E6BC9DA8DE2FD7F0AA3BBBF124BC868B0338C4B0039027AD8EE.pdf
NDP6060L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060L ndp6060l-d.pdf
NDP6060L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.