NDP6060L ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 123.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDP6060L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NDP6060L за ціною від 103.10 грн до 290.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDP6060L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 4718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDP6060L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDP6060L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
NDP6060L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NDP6060L | Виробник : ONSEMI |
NDP6060L THT N channel transistors |
товару немає в наявності |