
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS0610 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS0610 за ціною від 3.57 грн до 35.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NDS0610 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.12A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 30874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.12A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 36583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 333 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NDS0610 Код товару: 91972
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|