на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS0610 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDS0610 за ціною від 2.14 грн до 46.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 675 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 Код товару: 91972
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : onsemi |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 14357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 33592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - MOSFET, P-KANAL, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|






