Інші пропозиції NDS0610 за ціною від 2.23 грн до 48.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 31111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA Case: SOT23 On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.36W |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 62249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | onsemi |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 35247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDS0610 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 31111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NDS0610 | ON-Semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDS0610 | ON-Semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3304+ | 4.29 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.77 грн |
| 6000+ | 6.81 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.60 грн |
| 6000+ | 5.16 грн |
| 9000+ | 3.78 грн |
| 15000+ | 3.61 грн |
| 21000+ | 3.31 грн |
| 30000+ | 3.00 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.60 грн |
| 6000+ | 5.16 грн |
| 9000+ | 3.48 грн |
| 15000+ | 3.32 грн |
| 21000+ | 3.05 грн |
| 30000+ | 2.75 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.83 грн |
| 6000+ | 5.29 грн |
| 9000+ | 3.87 грн |
| 15000+ | 3.71 грн |
| 21000+ | 3.39 грн |
| 30000+ | 3.07 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1573+ | 9.02 грн |
| 3000+ | 8.43 грн |
| 6000+ | 8.33 грн |
| 9000+ | 7.75 грн |
| 27000+ | 7.04 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3406+ | 10.40 грн |
| 10000+ | 9.27 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3406+ | 10.40 грн |
| 10000+ | 9.27 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 12.32 грн |
| 69+ | 11.08 грн |
| 100+ | 7.69 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 4.64 грн |
| 3000+ | 3.03 грн |
| 6000+ | 2.23 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 31111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.64 грн |
| 500+ | 13.99 грн |
| 1500+ | 10.42 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.36W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.90 грн |
| 33+ | 12.80 грн |
| 50+ | 9.56 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 500+ | 7.15 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
| 1500+ | 6.07 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 785+ | 18.08 грн |
| 1007+ | 14.08 грн |
| 1123+ | 12.63 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 20.70 грн |
| 50+ | 15.20 грн |
| 100+ | 10.52 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.34 грн |
| 3000+ | 4.41 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 36.68 грн |
| 29+ | 26.10 грн |
| 100+ | 18.08 грн |
| 500+ | 13.58 грн |
| 1000+ | 11.27 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 62249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.28 грн |
| 14+ | 22.14 грн |
| 100+ | 14.06 грн |
| 500+ | 9.92 грн |
| 1000+ | 8.86 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 376+ | 37.73 грн |
| 377+ | 37.61 грн |
| 379+ | 37.48 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 33.24 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 35247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.82 грн |
| 14+ | 23.74 грн |
| 100+ | 13.19 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| 1000+ | 8.84 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 48.10 грн |
| 26+ | 29.62 грн |
| 100+ | 18.80 грн |
| 500+ | 13.61 грн |
| 1000+ | 11.26 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 31111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 48.40 грн |
| 50+ | 20.22 грн |
| 100+ | 17.64 грн |
| 500+ | 13.99 грн |
| 1500+ | 10.42 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 4.13 грн |
| NDS0610 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.05 грн |







