Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS0610
NDS0610

NDS0610 ON Semiconductor

2512808881158410nds0610.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS0610 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDS0610 за ціною від 3.61 грн до 32.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS0610 NDS0610 Виробник : onsemi nds0610-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.28 грн
6000+5.91 грн
9000+5.80 грн
15000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE102A5F723820&compId=NDS0610.pdf?ci_sign=7f7692f0900ae6af894209e5ec4d9faa0b98ebc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.82 грн
21+19.43 грн
50+15.48 грн
75+14.30 грн
111+8.37 грн
304+7.90 грн
1500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : onsemi nds0610-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 30847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.89 грн
17+18.72 грн
100+12.10 грн
500+9.75 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.15 грн
32+19.41 грн
72+8.53 грн
73+8.14 грн
100+7.46 грн
250+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE102A5F723820&compId=NDS0610.pdf?ci_sign=7f7692f0900ae6af894209e5ec4d9faa0b98ebc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.58 грн
13+24.21 грн
50+18.58 грн
75+17.16 грн
111+10.05 грн
304+9.48 грн
1500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : onsemi / Fairchild nds0610-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 30593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.66 грн
18+19.44 грн
100+11.98 грн
500+10.16 грн
1000+8.49 грн
3000+5.91 грн
6000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ONSEMI 2304443.pdf Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.62 грн
50+22.12 грн
100+14.12 грн
500+11.53 грн
1500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.43 грн
26+23.61 грн
100+16.38 грн
500+12.75 грн
1000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610 Виробник : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 Виробник : ON-Semicoductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 Виробник : ON-Semicoductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 NDS0610
Код товару: 91972
Додати до обраних Обраний товар

nds0610-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.