Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS331N
NDS331N

NDS331N ON Semiconductor

nds331n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1723+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 1723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS331N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NDS331N за ціною від 1.80 грн до 51.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
6000+9.56 грн
9000+9.19 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
6000+9.56 грн
9000+9.19 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ONSEMI 2303897.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.21 грн
9000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.46 грн
500+15.74 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 83500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+26.76 грн
1000+21.19 грн
3000+17.48 грн
6000+15.65 грн
9000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.97 грн
43+17.94 грн
100+13.49 грн
500+10.32 грн
1000+8.50 грн
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+32.29 грн
450+31.46 грн
463+30.61 грн
500+28.70 грн
1000+25.83 грн
3000+24.07 грн
6000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ONSEMI NDS331N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.04 грн
19+22.80 грн
50+17.83 грн
100+15.92 грн
500+12.02 грн
1000+10.61 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.24 грн
24+32.62 грн
25+32.29 грн
100+30.33 грн
250+27.33 грн
500+25.51 грн
1000+24.80 грн
3000+24.07 грн
6000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
11+29.70 грн
100+19.07 грн
500+13.60 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.67 грн
50+31.34 грн
100+21.46 грн
500+15.74 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 238441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N onsemi / Fairchild NDS331N-D.PDF MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 132947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N HXY MOSFET nds331n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N Fairchild nds331n-d.pdf N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.81 грн
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.72 грн
6000+9.56 грн
9000+9.19 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.72 грн
6000+9.56 грн
9000+9.19 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N 2303897.pdf
NDS331N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.21 грн
9000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+21.46 грн
500+15.74 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 83500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
529+26.76 грн
1000+21.19 грн
3000+17.48 грн
6000+15.65 грн
9000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+26.97 грн
43+17.94 грн
100+13.49 грн
500+10.32 грн
1000+8.50 грн
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
438+32.29 грн
450+31.46 грн
463+30.61 грн
500+28.70 грн
1000+25.83 грн
3000+24.07 грн
6000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N.pdf
NDS331N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.04 грн
19+22.80 грн
50+17.83 грн
100+15.92 грн
500+12.02 грн
1000+10.61 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.24 грн
24+32.62 грн
25+32.29 грн
100+30.33 грн
250+27.33 грн
500+25.51 грн
1000+24.80 грн
3000+24.07 грн
6000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.37 грн
11+29.70 грн
100+19.07 грн
500+13.60 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+51.67 грн
50+31.34 грн
100+21.46 грн
500+15.74 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 238441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N NDS331N-D.PDF
NDS331N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 132947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N nds331n-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.