Технічний опис NDS331N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDS331N за ціною від 1.80 грн до 52.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 227949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 83500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 62860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Power dissipation: 0.5/0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 210/160mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
на замовлення 24659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 227949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 238441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,3 А, Ptot, Вт = 0,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 162 @ 10, Qg, нКл = 5 @ 4,5 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |