NDS331N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.14 грн |
| 6000+ | 9.82 грн |
| 9000+ | 9.35 грн |
| 15000+ | 8.29 грн |
| 21000+ | 8.00 грн |
| 30000+ | 7.72 грн |
| 75000+ | 7.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS331N onsemi
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS331N за ціною від 1.80 грн до 48.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 210/160mΩ Power dissipation: 0.5/0.46W Drain current: 1.3A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 132947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDS331N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 245186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 257208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
на замовлення 127924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NDS331N | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |