| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1723+ | 8.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1723 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS331N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Інші пропозиції NDS331N за ціною від 7.29 грн до 57.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS331N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 83500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 62860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 132947 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDS331N | onsemi |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 271099 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NDS331N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 206899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NDS331N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 206899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NDS331N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.21 грн |
| 6000+ | 9.88 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.14 грн |
| 6000+ | 9.90 грн |
| 9000+ | 9.52 грн |
| 15000+ | 9.10 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.14 грн |
| 6000+ | 9.90 грн |
| 9000+ | 9.52 грн |
| 15000+ | 9.10 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.66 грн |
| 6000+ | 10.47 грн |
| 9000+ | 10.36 грн |
| 15000+ | 9.89 грн |
| 21000+ | 9.07 грн |
| 30000+ | 8.61 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.05 грн |
| 6000+ | 10.79 грн |
| 9000+ | 10.67 грн |
| 15000+ | 10.19 грн |
| 21000+ | 9.35 грн |
| 30000+ | 8.87 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.94 грн |
| 6000+ | 14.59 грн |
| 9000+ | 13.90 грн |
| 15000+ | 12.66 грн |
| 21000+ | 11.30 грн |
| 30000+ | 10.58 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 83500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 529+ | 27.71 грн |
| 1000+ | 21.94 грн |
| 3000+ | 18.10 грн |
| 6000+ | 16.21 грн |
| 9000+ | 14.12 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.93 грн |
| 43+ | 18.58 грн |
| 100+ | 13.97 грн |
| 500+ | 10.69 грн |
| 1000+ | 8.81 грн |
| 3000+ | 7.29 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 438+ | 33.45 грн |
| 450+ | 32.58 грн |
| 463+ | 31.70 грн |
| 500+ | 29.73 грн |
| 1000+ | 26.75 грн |
| 3000+ | 24.93 грн |
| 6000+ | 24.18 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 132947 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.24 грн |
| 12+ | 26.48 грн |
| 100+ | 17.38 грн |
| 500+ | 13.69 грн |
| 1000+ | 12.34 грн |
| 3000+ | 8.88 грн |
| 6000+ | 8.80 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 50.99 грн |
| 24+ | 33.79 грн |
| 25+ | 33.45 грн |
| 100+ | 31.41 грн |
| 250+ | 28.30 грн |
| 500+ | 26.42 грн |
| 1000+ | 25.68 грн |
| 3000+ | 24.93 грн |
| 6000+ | 24.18 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.16 грн |
| 10+ | 31.71 грн |
| 50+ | 23.17 грн |
| 100+ | 19.13 грн |
| 500+ | 14.54 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 271099 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.41 грн |
| 13+ | 25.44 грн |
| 100+ | 19.49 грн |
| 500+ | 14.82 грн |
| 1000+ | 13.92 грн |
| 3000+ | 10.31 грн |
| 6000+ | 9.40 грн |
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 206899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 206899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





