Технічний опис NDS336P FAI
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NDS336P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDS336P | Виробник : FAIRCHILD |
 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS336P | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS336P | Виробник : FAIRCHILD |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS336P | Виробник : FAIRCHILD |
SOT23-336 |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS336P | Виробник : N/A |
SOT-6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDS336P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SuperSOT T/R |
товар відсутній |
|
 |
NDS336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
NDS336P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V |
товар відсутній |