Продукція > ONSEMI > NDS352AP
NDS352AP

NDS352AP onsemi

nds352ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.74 грн
6000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 12.14 грн до 52.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.96 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.68 грн
12+35.49 грн
14+30.51 грн
50+21.89 грн
100+19.07 грн
250+16.08 грн
500+14.26 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 47871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.96 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP.pdf
NDS352AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.68 грн
12+35.49 грн
14+30.51 грн
50+21.89 грн
100+19.07 грн
250+16.08 грн
500+14.26 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 47871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.