на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 7.71 грн до 46.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS352AP | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS352AP | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS352AP | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 65508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V |
на замовлення 101479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 529 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS352AP | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NDS352AP | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NDS352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |