Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS352AP
NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor

nds352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 8.27 грн до 50.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.95 грн
6000+10.53 грн
9000+10.03 грн
15000+8.89 грн
21000+8.58 грн
30000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.97 грн
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.34 грн
24+30.93 грн
25+30.62 грн
100+20.09 грн
250+18.43 грн
500+13.73 грн
1000+13.12 грн
3000+9.74 грн
6000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.44 грн
12+30.67 грн
100+19.88 грн
500+15.33 грн
1000+12.30 грн
3000+11.10 грн
6000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.64 грн
50+33.77 грн
100+24.28 грн
500+17.14 грн
1500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 40965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.97 грн
11+30.70 грн
100+19.71 грн
500+14.06 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+28.58 грн
651+19.44 грн
657+19.27 грн
846+14.42 грн
1000+12.75 грн
3000+9.10 грн
6000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf NDS352AP SMD P channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.10 грн
68+17.57 грн
187+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.