Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS352AP
NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor

nds352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 7.98 грн до 50.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.49 грн
6000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.55 грн
500+14.64 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.09 грн
24+25.87 грн
25+25.61 грн
100+16.80 грн
250+15.42 грн
500+11.48 грн
1000+10.97 грн
3000+8.15 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild NDS352AP_D-2317952.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 16411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.68 грн
13+27.83 грн
100+16.48 грн
500+12.87 грн
1000+11.70 грн
3000+9.27 грн
9000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.42 грн
50+31.86 грн
100+20.55 грн
500+14.64 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
10+31.11 грн
100+20.10 грн
500+14.46 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+27.58 грн
651+18.77 грн
657+18.59 грн
846+13.91 грн
1000+12.31 грн
3000+8.78 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf NDS352AP SMD P channel transistors
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.77 грн
68+15.91 грн
187+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.