Продукція > ONSEMI > NDS352AP
NDS352AP

NDS352AP onsemi

nds352ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.08 грн
6000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP onsemi

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 9.97 грн до 52.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS352AP NDS352AP ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.63 грн
6000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.30 грн
24+32.29 грн
25+31.97 грн
100+20.98 грн
250+19.25 грн
500+14.34 грн
1000+13.70 грн
3000+10.18 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 77708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.45 грн
100+19.56 грн
500+13.94 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.68 грн
12+35.49 грн
14+30.51 грн
50+21.89 грн
100+19.07 грн
250+16.08 грн
500+14.26 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 47871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.97 грн
651+21.75 грн
657+21.55 грн
846+16.13 грн
1000+14.27 грн
3000+10.18 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.63 грн
6000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.30 грн
24+32.29 грн
25+31.97 грн
100+20.98 грн
250+19.25 грн
500+14.34 грн
1000+13.70 грн
3000+10.18 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 77708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+30.45 грн
100+19.56 грн
500+13.94 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP.pdf
NDS352AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.68 грн
12+35.49 грн
14+30.51 грн
50+21.89 грн
100+19.07 грн
250+16.08 грн
500+14.26 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 47871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP nds352ap-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
443+31.97 грн
651+21.75 грн
657+21.55 грн
846+16.13 грн
1000+14.27 грн
3000+10.18 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.