NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor


nds352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 8.02 грн до 52.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.55 грн
6000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+37.26 грн
24+25.99 грн
25+25.74 грн
100+16.88 грн
250+15.49 грн
500+11.54 грн
1000+11.03 грн
3000+8.19 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.09 грн
12+29.05 грн
100+18.83 грн
500+14.52 грн
1000+11.65 грн
3000+10.51 грн
6000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.17 грн
50+33.52 грн
100+22.83 грн
500+16.31 грн
1500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.37 грн
10+31.99 грн
100+20.67 грн
500+14.87 грн
1000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+27.72 грн
651+18.86 грн
657+18.68 грн
846+13.98 грн
1000+12.37 грн
3000+8.82 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf NDS352AP SMD P channel transistors
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.01 грн
68+16.36 грн
187+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.