Продукція > ONSEMI > NDS352AP
NDS352AP

NDS352AP onsemi

nds352ap-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.85 грн
6000+9.56 грн
9000+9.11 грн
15000+8.07 грн
21000+7.79 грн
30000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP onsemi

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 9.09 грн до 48.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.27 грн
6000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.80 грн
12+26.78 грн
100+17.36 грн
500+13.39 грн
1000+10.74 грн
3000+9.69 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.17 грн
50+30.67 грн
100+22.04 грн
500+15.56 грн
1500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+45.27 грн
24+31.58 грн
25+31.26 грн
100+20.51 грн
250+18.82 грн
500+14.02 грн
1000+13.39 грн
3000+9.95 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 37120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.28 грн
11+27.87 грн
100+17.90 грн
500+12.76 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi NDS352AP-D.PDF MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 8030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.97 грн
11+29.99 грн
100+16.80 грн
500+12.76 грн
1000+11.43 грн
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP Виробник : Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+29.18 грн
651+19.85 грн
657+19.67 грн
846+14.72 грн
1000+13.02 грн
3000+9.29 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.