Продукція > ONSEMI > NDS355AN
NDS355AN

NDS355AN onsemi

NDS355AN-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS355AN onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NDS355AN за ціною від 9.99 грн до 58.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NDS355AN NDS355AN onsemi / Fairchild NDS355AN-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 43186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.20 грн
10+31.76 грн
100+19.49 грн
500+14.95 грн
1000+13.43 грн
3000+10.75 грн
6000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN ONSEMI NDS355AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.68 грн
13+32.34 грн
15+29.60 грн
50+23.71 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN onsemi NDS355AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+34.92 грн
100+22.60 грн
500+16.22 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN ON-Semiconductor NDS355AN-D.PDF N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN-D.PDF
NDS355AN
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 43186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.20 грн
10+31.76 грн
100+19.49 грн
500+14.95 грн
1000+13.43 грн
3000+10.75 грн
6000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN.pdf
NDS355AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+52.68 грн
13+32.34 грн
15+29.60 грн
50+23.71 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN-D.PDF
NDS355AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.89 грн
10+34.92 грн
100+22.60 грн
500+16.22 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN NDS355AN-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.