NDS8410A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 213245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 553+ | 50.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS8410A ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDS8410A за ціною від 43.73 грн до 79.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS8410A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOICPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 208245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS8410A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS8410A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 63917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NDS8410A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 141828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : Fairchild |
0045 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : FAI |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : FAIR |
SOP8 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : FDS |
09+ |
на замовлення 52518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : NS |
09+ |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : NS |
09+ SOP8 |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : NS |
97 |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NDS8410A | Виробник : NS |
SOT-8 |
на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NDS8410A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
NDS8410A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |


