NDS8434 ON Semiconductor


nds8434-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+109.05 грн
500+98.15 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS8434 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NDS8434

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS8434 NDS8434 onsemi NDS8434-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 NDS8434 onsemi / Fairchild NDS8434_D-2317955.pdf MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 NDS8434 ONSEMI 256373.pdf Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 NDS8434 ONSEMI 2298023.pdf Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 NDS8434-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 NDS8434_D-2317955.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 256373.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434 2298023.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.