| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.95 грн |
| 10+ | 30.64 грн |
| 100+ | 19.75 грн |
| 500+ | 14.13 грн |
| 1000+ | 12.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS8435A UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube.
Інші пропозиції NDS8435A за ціною від 89.37 грн до 89.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS8435A | Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube |
на замовлення 126265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| NDS8435A | FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDS8435A |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 126265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 226+ | 89.37 грн |