Продукція > F > NDS8435A

NDS8435A F


NDS8435A.pdf Виробник: F
99
на замовлення 718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS8435A F

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NDS8435A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS8435A Виробник : FAI NDS8435A.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : FAI NDS8435A.pdf SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : Fairchild NDS8435A.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : FAIRCHILD NDS8435A.pdf 09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : FAIRCHILD NDS8435A.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : FSC NDS8435A.pdf
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : NS NDS8435A.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A NDS8435A Виробник : ON Semiconductor 812568049227751nds8435a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A NDS8435A Виробник : onsemi NDS8435A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.