Продукція > UMW > NDS8435A
NDS8435A

NDS8435A UMW

d7ee8f556d0a6941da51e3518a317f06.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.97 грн
10+30.66 грн
100+19.75 грн
500+14.14 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS8435A UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube.

Інші пропозиції NDS8435A за ціною від 89.40 грн до 89.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS8435A NDS8435A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS34576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 126265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A Виробник : FAIRCHILD NDS8435A.pdf d7ee8f556d0a6941da51e3518a317f06.pdf FAIRS34576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A NDS8435A Виробник : onsemi NDS8435A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A NDS8435A Виробник : UMW d7ee8f556d0a6941da51e3518a317f06.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.